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タグ：Cs3Sb2I9

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  • 2021-9-7
  • 制御・IT系, 技術ニュース, 海外ニュース
  • Cs3Sb2I9, Jang-Sik Lee, Nature Communications, ハロゲン化物ペロブスカイト型メモリ, 学術, 抵抗スイッチングメモリ, 浦項工科大学（Pohang University of Science and Technology、POSTECH）, 超高速スイッチングメモリデバイス

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