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タグ：GaN－HEMT

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  • 2017-12-8
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • 5G, GaN－HEMT, 富士通, 富士通研究所

  富士通と富士通研究所、単結晶ダイヤモンドと炭化シリコンを常温で接合する技術を開発――気象レーダーなどの観測範囲拡大に貢献

  富士通と富士通研究所は2017年12月7日、炭化シリコン（SiC）基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を開発したと発表した。この技術を高出力窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）の放熱に活用す…

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