ルネサス エレクトロニクスは2017年6月8日、IoT／ホームエレクトロニクス／ヘルスケア機器用ASSP （Application Specific Standard Product、特定用途向け汎用LSI）に内蔵する、低消費電力SRAMの回路技術を開発したと発表した。
今回開発した技術は、CPUコアのデータ処理に対応して、アクティブ動作とスタンバイ状態の切り替えを、少ない電力オーバーヘッドで動的に行うのが特徴だ。
同社は、65nmノードのSOTB（Silicon－On－Thin－BOX）プロセスによる内蔵SRAMの試作において、アクティブ動作時の読み出し時間1.8ns、スタンバイ時の消費電力13.7nW／Mbitを実現した。
IoT向けASSPなどの省電力化には、スタンバイ時の待機電力を下げるため、必要なデータをいったん不揮発性メモリーに退避させた上で回路を遮断する方法が用いられる。しかしこの方法は、頻繁にアクティブとスタンバイを繰り返して間欠動作をするシステムにおいては、データ退避と再開動作のオーバーヘッドが大きくなり、かえって消費電力が増えてしまうケースがある。
今回開発した技術では、内蔵SRAMのスタンバイ時の電力を下げることで不揮発性メモリーにデータを退避させる必要性を無くし、間欠動作が頻繁に発生してもオーバーヘッドを抑えて電力効率を高めることが可能だ。
同社は、今回試作した内蔵SRAMを搭載した低電力ASSPが、IoT分野での環境発電動作に対応し、電池交換不要でメンテナンスフリーの機器開発に寄与するとしている。
