古河電工は、「レーザーグルービング（溝加工）＋プラズマダイシング工法」向けの新たな半導体用テープ「プラズママスク付きバックグラインド（BG）テープ」と「エキスパンド分割用ダイシング・ダイアタッチフィルム（D-DAF）」を開発したと発表した。2017年度下期に本格的な量産を開始する。
半導体部品の高積層化が進み、半導体ウェハーは更なる薄膜化が求められている。半導体ウエハーから半導体チップ毎に切断する製造工程（ダイシング）では、プラズマを照射して切断する「レーザーグルービング（溝加工）＋プラズマダイシング工法」が機械的な加工方式に比べて歩留や品質面で優れており、今後主流になるとみられている。今回の新製品は、この工法に向けた部材だ。
「プラズママスク付きバックグラインド（BG）テープ」は、半導体ウエハーのバックグラインド（BG）工程でのウエハー表面保護と、プラズマ照射時のウエハー表面保護という2つの機能を併せ持つテープ。BG工程では通常のBGテープと同様に半導体ウエハーの薄膜化研削ができ、BG後はBGテープのみを剥離してプラズママスクの層を残す事で、エッチング用ガスに対する耐性を持つマスク層を形成し、プラズマダイシング時に表面を保護する。プラズマダイシング後はガス種を切り替えて完全に除去できる。形状はロール状で、長さは100m／巻が基本となる。テープ厚さは100〜200μm。
「エキスパンド分割用ダイシング・ダイアタッチフィルム（D-DAF）」は、プラズマ照射による切断後に、ダイシングテープをエキスパンドする事でダイアタッチフィルム（DAF）を分割する。DAF分割性が良好で、容易に半導体チップ＋DAFがピックアップできる。形状は円形のDAFがダイシングテープに貼合された状態でロール状となっている。長さは100m／巻が基本で、テープ厚さは100〜200μm。
いずれの製品もBGテープラミネート〜BGテープ剥離、エキスパンド分割〜ピックアップ工程における装置は、従来のものがそのまま使用できるという。
