- 2017-6-30
- 制御・IT系, 製品ニュース
- AMC1306, LMG3410, TMS320F28379D, 三相インバータ, 日本テキサス・インスツルメンツ
日本テキサス・インスツルメンツは2017年6月29日、GaN（窒化ガリウム）半導体をベースとした三相インバータのリファレンスデザインを発表した。99％の電力変換効率を提供するのが特徴で、ACサーボモータドライブや、次世代産業用ロボティクスの設計向けとしている。
このリファレンスデザインには、TIが昨年発表した「LMG3410」600V、12A GaNパワーモジュールを搭載している。このGaNモジュールは、シリコンFETの5倍までの速度でスイッチングが可能で、PWM（パルス幅変調）周波数が100kHz、98％以上、また24kHzの場合には99％以上の高効率で動作する。設計者はGaN半導体を使うことで、スイッチング性能を最適化してモーターの電力損失を削減できるほか、放熱器のサイズを縮小し基板実装面積を節約できる。
またGaNモジュールのほかに、TIの「AMC1306」絶縁型デルタ-シグマ型モジュレータも複数個搭載しており、電流センシングを行うことでモーター制御性能を向上している。TIの「TMS320F28379D」ドライブ制御SoC（システム・オン・チップ）をはじめとしたマイコン製品とインターフェースが可能で、電圧周波数のダイナミックな調整や、高速の電流ループ制御ができるとしている。
