パワー半導体の世界市場規模予測
矢野経済研究所は2019年1月15日、パワー半導体の世界市場の調査を実施し、市場概況や採用動向、個別メーカーの事業戦略から2025年までの世界市場規模を予測したと発表した。2025年におけるパワー半導体の世界市場規模は、2017年の約1.7倍となる299億2000万ドルに達すると予測している。
パワー半導体とは、主にインバータ／コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子だ。この調査では、パワーMOSFETやIPD、ダイオード、IGBT、パワーモジュール、SiC／GaNパワー半導体などが対象になっている。
2017年におけるメーカー出荷金額ベースでのパワー半導体の世界市場規模は、前年比12.2％増となる177億4500万ドルで、リーマンショック前を大きく超える市場規模に到達。2016年後半から情報通信、民生、産業、自動車の4分野全ての需要が伸長し、パワー半導体メーカーの生産ラインはフル稼働状態が続いている。2018年についても主要パワー半導体メーカーの受注は堅調に推移していることから、2018年の市場規模は前年比9.2％増の193億7100万ドルと見込まれる。
デバイス別では、産業機器向けを中心にパワーモジュールの出荷が拡大。なかでも産業用ロボットや工作機械、半導体製造装置などで使われているサーボモーター向けパワーモジュールの需要が好調だ。
また、MOSFETは情報通信分野と自動車分野向けの需要が伸びている。特に、モータ制御の適用箇所が拡大している自動車は、車両1台あたりに搭載されるMOSFETの数が増加しており、今後も高成長が見込まれる。
矢野経済研究所は注目トピックとして、SiCパワー半導体を取り上げた。コストダウンが進んだSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）がSiCパワー半導体の需要の中心であり、情報通信分野ではサーバーの力率改善回路に、産業分野では太陽光発電用パワーコンディショナーやEV（電気自動車）用充電ステーションなど、自動車分野ではEVのオンボードチャージャー（OBC）などで使用されている。
2017年におけるSiCパワー半導体の世界市場規模は前年比35.4％増となる3億1000万ドルだった。2018年については、EVのメインインバータ、OBCにSiC-MOSFETが採用されたため、自動車分野向けの市場規模が増加する見込みだという。2020年以降は、SiCパワー半導体の自動車分野向け需要が本格的に立ち上がり、HV（ハイブリッド車）やEVのメインインバータへの採用が段階的に進む。さらに、6インチSiCウエハによる量産効果が2021年以降に出始めるために、Siパワー半導体とのコスト差が小さくなることでSiCパワー半導体の搭載用途が広がり、2025年には25億4000万ドルに成長すると予測している。
将来展望について、パワー半導体の世界市場規模の2017年から2025年までの年平均成長率は6.7％で推移し、2025年は2017年の約1.7倍に相当する299億2000万ドルに到達すると予想している。2018年から2020年にかけては需給がひっ迫するために、前年比7～9％台の増加で伸長。2020年のパワー半導体世界市場規模は225億3000万ドルに達すると見込む。2021年以降については、2019年から2020年において各社が計画している設備投資の効果が順次出始めて供給数量が安定することから、前年比5～6％台で推移する見通しだ。
この背景には、IoTの世界的な広がりによる大規模データセンターの増加や白物家電や産業機器、太陽光発電・風力発電に代表される新エネルギー分野の安定した成長に加え、HVやEV、欧州と中国を中心とした車載用48V電源システムの普及拡大などがあり、こうした需要がパワー半導体世界市場全体の成長要因として挙げられるという。
