タグ：SiC-SBD
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1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。 同MOSFETは、新材料のSiCを使…詳細を見る-
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パワー半導体世界市場、2025年は299億2000万ドルに成長――情報通信、民生、産業、自動車の4分野全ての需要が伸長 矢野経済研究所
矢野経済研究所は2019年1月15日、パワー半導体の世界市場の調査を実施し、市場概況や採用動向、個別メーカーの事業戦略から2025年までの世界市場規模を予測したと発表した。2025年におけるパワー半導体の世界市場規模は、…詳細を見る-
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三菱電機、SiCを用いたパワー半導体の新製品「SiC-SBD」を発売
三菱電機は、パワー半導体の新製品として、SiC（炭化ケイ素）を用いた「SiC-SBD」を3月1日から順次発売すると発表した。エアコンや太陽光発電などの電源システムの低消費電力化・小型化に貢献する。 同社では、省エネ…詳細を見る-
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