ターンオン損失を67%削減したSiCダイオード内蔵IGBT「RGWxx65Cシリーズ」を開発 ローム

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ロームは2021年7月8日、大電力を扱う車載電装機器や産業機器に向けて、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠した650V耐圧のSiCショットキーバリアダイオード内蔵IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65Cシリーズ」を開発したと発表した。従来品のIGBTからON時のスイッチング損失(以下、ターンオン損失)を大きく削減している。サンプル価格は1200円/個(税抜)。

RGWxx65Cシリーズは、IGBTの帰還部(還流ダイオード)に、ロームの低損失SiCショットキーバリアダイオード(SiC SBD)を採用したHybrid型のIGBTとなる。今回、普及帯の車載電装機器や産業機器に適したパフォーマンスを提供できるHybrid IGBTとして、「RGW60TS65CHR」「RGW80TS65CHR」「RGW00TS65CHR」の3製品を開発した。

Siファストリカバリダイオード(Si-FRD)を採用している従来品のIGBTよりターンオン損失を大幅に削減。車載充電器に搭載した場合には従来品のIGBTに比べて67%低損失化できる。一般的にIGBTより損失の少ないSuper Junction MOSFET(SJ-MOSFET)よりも24%低損失化できるという。変換効率も幅広い動作周波数で97%以上の高効率を確保。動作周波数100kHz時には、IGBTに比べ3%高効率化する。

RGWxx65Cシリーズは、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠していることから、車載や産業機器といった過酷な環境下でも安心して使用できる。サンプル出荷は2021年3月より開始しており、2021年12月から当面月産2万個の体制で量産を開始する予定だ。

ローム公式サイト上では、評価/導入に必要となる駆動回路の設計手法を記載したアプリケーションノートや、SPICEモデルなどの設計データを無償で公開している。

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