タグ：IGBT
-
xEV向けインバータ用パワー半導体として新世代Si IGBTを開発 ルネサス
ルネサス エレクトロニクスは2022年8月30日、電動車（xEV）向けのインバータ用パワー半導体として、新世代のシリコン（Si） 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）を開発したと発表した。ラインアップは400V…詳細を見る -
ターンオン損失を67％削減したSiCダイオード内蔵IGBT「RGWxx65Cシリーズ」を開発 ローム
ロームは2021年7月8日、大電力を扱う車載電装機器や産業機器に向けて、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠した650V耐圧のSiCショットキーバリアダイオード内蔵IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C…詳細を見る -
1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。 同MOSFETは、新材料のSiCを使…詳細を見る -
LV100タイプを採用した産業用IGBTモジュールを発売――再エネ電源用インバーターやモータードライブ装置の小型化に寄与 三菱電機
三菱電機は2020年8月25日、パワー半導体の新製品として「IGBTモジュール Tシリーズ 産業用LV100タイプ」5品種を発表した。同年9月より順次販売を開始する。 今回パッケージに採用されたLV100タイプは、…詳細を見る -
電力効率とEMIノイズを高速に予測できるIGBT／IEGT向け回路モデル技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージが2019年6月14日、電力効率とEMIノイズを高精度かつ高速に予測できるIGBT／IEGT向け回路モデル技術を開発したと発表した。同技術により、従来技術と比較して、電力効率の予測値の誤差率は20…詳細を見る
