タグ:ショットキー障壁
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1nm以下の微細化を目指して――MITら、半金属と2次元単層半導体の超低接触抵抗を実現
マサチューセッツ工科大学、国立台湾大学、半導体製造受託企業であるTSMCらの共同研究チームは、半金属のビスマスと2次元単層半導体の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)間の超低接触抵抗を実現した。1nm以下の超微細プロセス…詳細を見る -
2次元結晶スイッチング素子の高性能化を促進する新理論を発見
シンガポール工科デザイン大学(SUTD)の研究チームが、2次元結晶を用いたショットキーバリアダイオード(SBD)における、電流と温度の関係を決定する普遍的スケーリング則(Universal Scaling Law)を解明…詳細を見る