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タグ：FinFET

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  • 2021-8-29
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • 2次元単層半導体, FinFET, MIGS（Metal induced gap states）, Nature, TSMC, ショットキー障壁, ダングリングボンド（原子における未結合手）, トランジスタ, マサチューセッツ工科大学, ムーアの法則, 二硫化モリブデン（MoS2）, 半金属ビスマス, 国立台湾大学, 遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）

  1nm以下の微細化を目指して――MITら、半金属と2次元単層半導体の超低接触抵抗を実現

  マサチューセッツ工科大学、国立台湾大学、半導体製造受託企業であるTSMCらの共同研究チームは、半金属のビスマスと2次元単層半導体の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）間の超低接触抵抗を実現した。1nm以下の超微細プロセス…

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