タグ：遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）
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MIT、シリコンウエハー上に単原子分の厚みの材料形成に成功――次世代プロセッサー向け技術
1960年代以降、半導体の集積度はほぼムーアの予測通りに上昇してきたが、2nmレベルの微細加工が現実になった今、そのスケールは原子数個分の大きさの領域になり、加工の限界や、電気的特性の悪化により、その法則も頭打ちではない…詳細を見る-
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可視光の80％を通す透明に近い太陽電池を開発―― 1cm2の太陽電池で420pWの発電に成功 東北大
東北大学は2022年7月12日、同大学大学院工学研究科電子工学専攻の研究グループが、可視光の80％を通す透明に近い太陽電池を開発したと発表した。 透明太陽電池はさまざまな場所に設置できるため、存在を無視でき、環境に…詳細を見る-
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半導体原子シートの核形成過程を直接観測する手法を開発――次世代のフレキシブル透明デバイスの実現に寄与 東北大と東大
東北大学は2021年11月15日、同大学大学院工学研究科の研究グループが東京大学大学院工学系研究科の研究グループと共同で、透明でフレキシブルな半導体原子シートである遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の結晶成長初期の核形…詳細を見る-
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1nm以下の微細化を目指して――MITら、半金属と2次元単層半導体の超低接触抵抗を実現
マサチューセッツ工科大学、国立台湾大学、半導体製造受託企業であるTSMCらの共同研究チームは、半金属のビスマスと2次元単層半導体の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）間の超低接触抵抗を実現した。1nm以下の超微細プロセス…詳細を見る-
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