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タグ：トレンチゲート構造SiC-MOSFET

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  • 2017-6-27
  • ニュース, 製品ニュース, 電気・電子系
  • トレンチゲート構造SiC-MOSFET, パワー半導体, 富士電機

  富士電機、パワエレ機器の省エネに寄与する「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発

  富士電機は2017年6月26日、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発したと発表した。2017年度中を目途に、SiC-MOSFETとSi…

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