タグ：富士電機
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半導体デバイス開発エンジニアへの転職成功のポイントは？仕事内容や必要なスキル、年収、転職市場動向を解説！
半導体を用いた電子部品である半導体デバイスは、今後、クラウドサービスの普及やそれに伴うデータセンターの需要増加、電気自動車（EV）や先進運転支援システム（ADAS）、自動運転向けの電装システムの搭載数増加などの要因から、…詳細を見る-
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サーボモーターとは？ 仕組みや構造、種類について紹介
サーボモーター（Servomotor）は、高速／精密な制御を行うために欠かせない構成要素です。そのため、動かして満足するだけではなく、サーボモーターとはどのようなものなのか、原理や構造、種類、メリットやデメリットなどを、…詳細を見る-
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パワーデバイス材料SiCの電気特性を高分解能で測定する装置を開発 名工大
名古屋工業大学は2020年9月9日、富士電機、電力中央研究所、昭和電工、産業技術総合研究所と共同で、3ミクロンの空間分解能でSiC中の電気特性の微細な分布を測定する技術を確立し、設計通りにSiCパワーデバイス内部の構造が…詳細を見る-
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窒化ガリウムに注入した微量元素の分布と電気的状態をナノスケールで可視化――窒化ガリウムデバイス量産化に向けて大きく前進 NIMSと富士電機
物質・材料研究機構（NIMS）は2019年5月22日、富士電機と共同で、窒化ガリウム（GaN）に注入した微量なマグネシウム（Mg）の分布や電気的状態を、ナノスケールで可視化することに世界で初めて成功したと発表した。今回開…詳細を見る-
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富士電機、サイクロン技術を採用した高脱硫率の「船舶用排ガス浄化システム」を開発
富士電機2018年10月1日、排ガスに海水を混ぜて硫黄酸化物を低減する排ガス浄化装置（SOxスクラバ）を搭載した「船舶用排ガス浄化システム」を開発、出荷を開始したと発表した。 硫黄酸化物（SOx）は、国際海事機関に…詳細を見る-
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産総研など、1200V耐圧クラスでも高性能を示すSBD内蔵SiCトランジスタを開発
産業技術総合研究所は2017年12月5日、富士電機と共同で1200Vクラスでも高効率と高信頼性を両立するショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵のSiCトランジスタを開発したと発表した。 電力の変換や制御を担うパ…詳細を見る-
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富士電機、パワエレ機器の省エネに寄与する「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発
富士電機は2017年6月26日、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発したと発表した。2017年度中を目途に、SiC-MOSFETとSi…詳細を見る-
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