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タグ：ゲート絶縁膜プロセス

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  • 2019-5-22
  • ニュース, 化学・素材系, 技術ニュース, 電気・電子系
  • SiC MOSFET, ゲート絶縁膜プロセス, 東芝

  ゲート絶縁膜プロセス技術を改良――SiC-MOSFETのチャネル領域の抵抗を約40％低減　東芝

  東芝は2019年5月21日、SiC-MOSFET向けに開発したゲート絶縁膜プロセス技術をさらに発展させ実際の縦型デバイスに適用した結果、従来技術と比較して、チャネル領域の抵抗を約40％低減できたと発表した。同技術を実用化…

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