タグ：SiC MOSFET
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パワー半導体「SiC-MOSFET」の高精度回路シミュレーション技術で回路設計の効率化へ 三菱電機
三菱電機は2020年7月9日、パワー半導体「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ」が搭載されるパワーエレクトロニクス機器設計時の回路シミュレーション技術として、高精度SPICEモデルを開発したと発表した。高精度S…詳細を見る-
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低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETを開発――車載主機インバータシステムの小型化／高効率化に貢献 ローム
ロームは2020年6月17日、低オン抵抗の「1200V 第4世代SiC MOSFET」を開発したと発表した。既存市場に加え、主機インバータをはじめとする車載パワートレインシステムや産業機器向け電源への採用を加速させ、さら…詳細を見る-
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ゲート絶縁膜プロセス技術を改良――SiC-MOSFETのチャネル領域の抵抗を約40％低減 東芝
東芝は2019年5月21日、SiC-MOSFET向けに開発したゲート絶縁膜プロセス技術をさらに発展させ実際の縦型デバイスに適用した結果、従来技術と比較して、チャネル領域の抵抗を約40％低減できたと発表した。同技術を実用化…詳細を見る-
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理研ら、SiCパワー半導体を用いた高出力高安定化電源を開発――X線自由電子レーザーの利用拡大に貢献
理化学研究所（理研）は2018年6月16日、高輝度光科学研究センター、ニチコンと共同で、パワー半導体デバイス「SiC MOSFET」を用いた、コンパクトなパルス電源を開発したと発表した。同電源は、高出力と高い安定性を両立…詳細を見る-
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