タグ：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
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NTT、800GHz超のスイッチング性能を備えるトランジスタを開発
NTTは2020年3月27日、インジウムリン（InP）系化合物半導体結晶成長技術と、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）製造技術の高度化により、800GHzを超える電流利得遮断周波数を有するトランジスタの開発に成功…詳細を見る-
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NTT、従来の10倍の速度でPAM4信号を生成できるICを開発――独自のDACアーキテクチャーと波形高品質化技術を適用
日本電信電話（NTT）は2018年10月16日、高速動作に適したDAC（Digital to Analog Converter：デジタル信号処理回路から信号を出力する際、デジタル信号をアナログ信号に変換する回路）アーキテ…詳細を見る-
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