電流利得遮断周波数に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：電流利得遮断周波数

• 
  • 2020-3-30
  • エンジニア分野別, ニュース, 技術ニュース, 電気・電子系
  • 800GHz, HBT製造, InP系化合物半導体結晶成長, NTT, スイッチング速度, ヘテロ接合バイポーラトランジスタ, 研究, 電流利得遮断周波数

  NTT、800GHz超のスイッチング性能を備えるトランジスタを開発

  NTTは2020年3月27日、インジウムリン（InP）系化合物半導体結晶成長技術と、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）製造技術の高度化により、800GHzを超える電流利得遮断周波数を有するトランジスタの開発に成功…

  詳細を見る

  • Tweet
  -
  •