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タグ：ランダウ・リフシッツ・ギルバート方程式

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  • 2024-1-12
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • EML効果, インダクタ, フレキシブル基板, フレキシブル磁気エレクトロニクス, ブラウン大学, ランダウ・リフシッツ・ギルバート方程式, 中国科学院大学, 創発インダクタンス, 創発磁気インダクタンス効果, 慶應義塾大学, 慶應義塾大学グローバルリサーチインスティテュート, 慶應義塾大学大学院, 研究, 磁性薄膜, 階段状磁場

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  慶應義塾大学大学院の海住英生教授らの研究グループは2024年1月11日、ブラウン大学、慶應義塾大学グローバルリサーチインスティテュート、中国科学院大学と共同で、フレキシブル基板上の磁性薄膜において、室温、低磁場での創発イ…

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