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タグ：富士通ゼネラルエレクトロニクス

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  • 2021-6-16
  • ニュース, 製品ニュース, 電気・電子系
  • GaN, GaN-FET, GaNモジュール, Transphorm, パワーデバイス, 富士通ゼネラルエレクトロニクス, 電力損失

  小型GaNモジュールを開発――米Transphorm製の高耐圧GaN-FETチップを内蔵　富士通ゼネラルエレクトロニクス　

  富士通ゼネラルエレクトロニクスは2021年6月15日、ドライブ回路とともに高耐圧GaN-FETチップを内蔵した「小型GaNモジュール」を開発したと発表した。同年秋よりサンプル出荷を開始する予定となっている。 同モジ…

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