タグ：GaN
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SiC/GaNトランジスタを活用した回路設計が学べるVOD教材 ZEPエンジニアリング
オンライン動画（VOD）とテキストでSiC/GaNトランジスタを活用した回路設計について学べる「［VOD］小型＆高出力！高効率電源設計のためのSiC/GaNトランジスタ活用 100の要点」が2024年6月11日、ZEPエ…詳細を見る-
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高純度GaN結晶の光りにくさの主要因が、従来のGaN結晶とは異なることを発表 大阪大学と住友化学
大阪大学は2024年6月7日、同大学大学院工学研究科の研究グループが住友化学と協力し、高純度な窒化ガリウム（GaN）結晶の光りにくさの主要因が、従来のGaN結晶とは異なることを発表した。GaNの光りにくさを全方位フォトル…詳細を見る-
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QST基板上でのGaN剥離、異種材料基板への接合技術を開発――縦型GaNパワーデバイスの実現に寄与 OKIと信越化学工業
OKIと信越化学工業は2023年9月5日、QST基板からGaN機能層のみを剥離し、異種材料基板に接合する技術を開発したと発表した。GaNの縦型導電が可能となるため、大電流を制御できる縦型GaNパワーデバイスの実現に寄与す…詳細を見る-
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低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料を開発―― SiCやGaNの動作温度にも対応可 パナソニックら
パナソニック ホールディングスは2022年6月21日、東北大学、大阪教育大学、秋田大学および芝浦工業大学と共同で、低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料（新規はんだ）を開発したと発表した。2022年1…詳細を見る-
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スパッタリング法によるGaNエピタキシャル成長モジュールを開発―― GaNデバイス製造の新たな選択肢 アルバック
アルバックは2022年4月20日、スパッタリング法によるGaNのエピタキシャル薄膜形成技術「RaSE（レイズ）法」と、同技術を用いたスパッタリングモジュール「SEGul（シーガル）」を開発したと発表した。GaNデバイス製…詳細を見る-
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小型GaNモジュールを開発――米Transphorm製の高耐圧GaN-FETチップを内蔵 富士通ゼネラルエレクトロニクス
富士通ゼネラルエレクトロニクスは2021年6月15日、ドライブ回路とともに高耐圧GaN-FETチップを内蔵した「小型GaNモジュール」を開発したと発表した。同年秋よりサンプル出荷を開始する予定となっている。 同モジ…詳細を見る-
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リモートエピタキシャル成長でフレキシブルなマイクロLEDを製造する手法を開発
テキサス大学ダラス校（UT Dallas）を中心とする国際研究チームが、曲げたり捩じったり切断したりでき、曲面のある多様な表面に貼り付けることが可能なマイクロLEDを作製する手法を開発した。サファイア基板上にグラフェン層…詳細を見る-
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ニューラルネットワークと自動運転。多様なネットワークを組み合わせて多重化、冗長化で安全性を担保する――NVIDIA 室河徹氏
自動車業界で加速する自動運転開発において、ドライバーの代わりに周囲を認識する画像認識は、安全性を保障するために欠かせないコア技術です。より速く、より正確に物体を認識するため、ニューラルネットワークを使った画像認識システム…詳細を見る-
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GPUが加速するAI開発。AIの発展に必要な3つの要素とは？――NVIDIA 室河徹氏
近年、AI（※1）やニューラルネットワーク（※2）というキーワードをよく耳にするようになりました。特に自動車業界で加速する自動運転開発において、ニューラルネットワークを使った画像認識技術、AIによる統合的な自動運転制御に…詳細を見る-
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5G基地局向けに小型かつ高効率なGaN増幅器モジュールを開発――5G基地局の小型化、低消費電力化に寄与 三菱電機
三菱電機は2020年7月14日、5G（第5世代移動通信システム）基地局向けに小型かつ高効率なGaN増幅器モジュールを開発したと発表した。5G基地局の小型化や設置性の向上、低消費電力化に寄与することが期待される。 同…詳細を見る-
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