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タグ：強誘電体薄膜

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  • 2019-4-26
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • Communications Physics, HfO2, MOSトランジスター, PbTiO3, アルゴンヌ国立研究所, ネガティブキャパシタ, 学術, 強誘電体薄膜

  コンピューター能力を向上させる「ネガティブキャパシタ」の可能性

  アルゴンヌ国立研究所の研究チームが、フランスとロシアの研究者とともに、持続的に安定した「ネガティブキャパシタ」の可能性を明らかにした。シミュレーション計算によって、外から加えた電圧を増幅できる強誘電体ナノ粒子の可能性を示…

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