タグ：HfO2
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IGZOチャネルを用いた低消費電力、大容量トランジスター型強誘電体メモリーを開発 東大
東京大学は2019年6月10日、極薄の金属酸化物半導体IGZOをチャネルとしたトランジスター型強誘電体メモリー（FeFET）の開発に成功したと発表した。 IoTの普及に伴いIoTデバイスは今後ますます低消費電力であ…詳細を見る-
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コンピューター能力を向上させる「ネガティブキャパシタ」の可能性
アルゴンヌ国立研究所の研究チームが、フランスとロシアの研究者とともに、持続的に安定した「ネガティブキャパシタ」の可能性を明らかにした。シミュレーション計算によって、外から加えた電圧を増幅できる強誘電体ナノ粒子の可能性を示…詳細を見る-
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