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タグ：慣性核融合エネルギー分野

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  • 2025-2-7
  • 技術ニュース, 機械系, 海外ニュース
  • EUV光, ツリウムドープ・フッ化イットリウムリチウム（Tm：YLF）, ビッグ・アパーチャ・ツリウム（BAT）レーザー, フォトレジスト層, ローレンス・リバモア国立研究所（LLNL）, 半導体, 半導体チップ, 学術, 慣性核融合エネルギー分野, 極端紫外線（EUV）リソグラフィ, 集積回路, 高エネルギー密度物理学

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  米ローレンス・リバモア国立研究所（LLNL）が、高性能な半導体をより速く製造できる、次世代の極端紫外線（EUV）リソグラフィ技術の開発プロジェクトを進めている。 EUVリソグラフィは、数ナノメートルの微細な回路をE…

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