浮遊ゲート電界効果トランジスタ（FGFET）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：浮遊ゲート電界効果トランジスタ（FGFET）

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  • 2020-12-28
  • 制御・IT系, 技術ニュース, 海外ニュース
  • 2次元材料, Andras Kis, LANES（Laboratory of Nanoscale Electronics and Structures）, Nature, スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）, 二硫化モリブデン（MoS2）, 人工知能（AI）, 学術, 機械学習（ML）, 次世代回路, 浮遊ゲート電界効果トランジスタ（FGFET）

  ロジックとメモリを1つのアーキテクチャに統合――次世代型コンピューターチップを開発

  スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）の研究チームは、2次元材料を利用して、ロジックとメモリの2つの機能を単一のアーキテクチャに統合した次世代回路を開発した。小型、高速、高効率のデバイスとして、機械学習（ML）や人工…

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