磁気トンネル接合（MTJ）素子に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：磁気トンネル接合（MTJ）素子

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  • 2024-1-15
  • 制御・IT系, 技術ニュース
  • CoFeB/MgO, STT-MRAM, スピントロニクス, スピン移行トルク磁気抵抗メモリ, 形状異方性, 微細化技術, 東北大学, 極微細世代半導体集積回路, 界面異方性, 研究, 磁気トンネル接合（MTJ）素子

  半導体の省エネ化に向け、スピン移行トルク磁気抵抗メモリの極限微細化技術を確立　東北大

  東北大学は2024年1月11日、半導体の省エネ化につながると期待されているスピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）をナノメートル（10億分の1m）サイズにまで微細化する技術を確立したと発表した。このSTT-MR…

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