タグ：STT-MRAM
-
STT-MRAMの高速読み出し技術と、書き換え動作の高速化技術を開発 ルネサス
ルネサス エレクトロニクスは2024年2月21日、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）の読み出しと書き換え動作を高速化する技術を発表した。22nmロジック混載MRAMプロセスで、10.8M…詳細を見る-
-
-
半導体の省エネ化に向け、スピン移行トルク磁気抵抗メモリの極限微細化技術を確立 東北大
東北大学は2024年1月11日、半導体の省エネ化につながると期待されているスピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）をナノメートル（10億分の1m）サイズにまで微細化する技術を確立したと発表した。このSTT-MR…詳細を見る-
-
-
未踏の一桁ナノメートルサイズでも熱安定性と電流誘起磁化反転を両立――東北大、磁気トンネル接合素子の新方式を提案
東北大学は2018年2月15日、不揮発性磁気メモリ（STT-MRAM）の主要構成要素である磁気トンネル接合素子の新しい方式を提案し、一桁ナノメートルサイズでの動作実証に成功したと発表した。この技術は、微細化された将来の半…詳細を見る-
-
-
産総研、不揮発性磁気メモリのためのMRAM高性能参照層を開発 スペーサー層にイリジウムを採用
産業技術総合研究所（産総研）は2017年2月27日、次世代の不揮発性メモリである磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）の参照層に、イリジウムを用いたスペーサー層を用いて、大容量MRAMに求められる性能を達成したと発表した…詳細を見る-
-
-
レアメタルを使わずスピントロニクスデバイス開発を可能にする研究成果を発表
慶應義塾大学理工学部の安藤和也准教授らは、スピントロニクス技術において、これまで不可欠とされてきたレアメタルではなく、自然酸化させた銅を用いることで、その性能を飛躍的に向上させることができたと発表した。科学技術振興機構（…詳細を見る-
-
