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タグ：逆導通型IEGT

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  • 2022-6-17
  • 製品ニュース, 電気・電子系
  • IEGT, ダブルゲート構造, パワー半導体, 東芝, 東芝デバイス＆ストレージ, 逆導通型IEGT

  ダブルゲート構造を採用し、スイッチング損失を低減する逆導通型IEGTを開発　東芝デバイス＆ストレージ、東芝

  東芝デバイス＆ストレージと東芝は2022年6月15日、電力の制御等に用いられるパワー半導体にて、世界で初めてダブルゲート構造を採用した4500V耐圧の逆導通型IEGTを開発したと発表した。電力のオンとオフが切り替わるスイ…

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