タグ:IEGT
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ダブルゲート構造を採用し、スイッチング損失を低減する逆導通型IEGTを開発 東芝デバイス&ストレージ、東芝
東芝デバイス&ストレージと東芝は2022年6月15日、電力の制御等に用いられるパワー半導体にて、世界で初めてダブルゲート構造を採用した4500V耐圧の逆導通型IEGTを開発したと発表した。電力のオンとオフが切り替わるスイ…詳細を見る -
電力効率とEMIノイズを高速に予測できるIGBT/IEGT向け回路モデル技術を開発 東芝デバイス&ストレージ
東芝デバイス&ストレージが2019年6月14日、電力効率とEMIノイズを高精度かつ高速に予測できるIGBT/IEGT向け回路モデル技術を開発したと発表した。同技術により、従来技術と比較して、電力効率の予測値の誤差率は20…詳細を見る