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タグ：金属－空気トランジスタ

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  • 2019-1-4
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • Nano Letters, RMIT大学, ファウラーノルドハイム（Fowler-Nordheim）トンネル効果, ムーアの法則, 学術, 空気チャネルトランジスタ（ACT）, 金属－空気トランジスタ

  シリコン半導体に置き換わる新デバイスーー集積度の限界を超える「金属－空気トランジスタ」

  オーストラリアのRMIT大学の研究チームは、現在のシリコンベースのトランジスタに替わる新しいデバイスとして、電界放出型「金属－空気トランジスタ」を開発した。集積度の限界に近づきつつあるトランジスタ技術をあと20年は延ばせ…

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