陽イオン性窒素ドープグラフェンに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：陽イオン性窒素ドープグラフェン

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  • 2019-3-14
  • ニュース, 化学・素材系, 技術ニュース
  • p型半導体グラフェン, カセサート大学, グラフェン, ソリューションプラズマ, ドーピング, 信州大学, 名古屋大学, 窒素陽イオン, 陽イオン性窒素, 陽イオン性窒素ドープグラフェン, 高結晶性p型半導体グラフェン

  窒素を導入したp型半導体グラフェンの開発に成功――太陽電池や透明電極、触媒などへの応用に期待　名大など

  名古屋大学は2019年3月11日、信州大学とタイのカセサート大学と共同で、窒素陽イオンを導入した高結晶性p型半導体グラフェンの開発に成功したと発表した。 グラフェン材料の機能を制御するためには、一部の炭素を異なる元…

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