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タグ：電子デバイス精密接合装置

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  • 2020-6-15
  • ニュース, 技術ニュース, 機械系
  • ヒートシンク式レーザー溶着, 国士舘大学, 清和光学製作所, 研究, 科学技術振興機構（JST）, 電子デバイス精密接合装置

  ヒートシンクで樹脂を冷却して接合面だけ溶接――精密な熱溶着技術の実現へ

  科学技術振興機構（JST）は2020年6月12日、開発課題「ヒートシンク式レーザー溶着による電子デバイス精密接合装置」の開発結果を成功と認定したと発表した。本研究は、国士舘大学准教授の佐藤公俊氏の研究成果が得た成果をもと…

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