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タグ：面内電流型磁気メモリー

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  • 2018-2-14
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • 不揮発性磁気メモリー, 産業技術総合研究所, 産総研, 面内電流型磁気メモリー

  面内電流型磁気メモリーの記録エラーを低減する技術、産総研が開発――次世代メモリーの有力候補になるか。安価な鉄で実現

  産業技術総合研究所（産総研）は2018年2月13日、次世代の不揮発性磁気メモリー（MRAM）として研究開発を進めている面内電流型磁気メモリーにおいて、磁石材料の異常ホール効果を利用した新たな記録技術を開発したと発表した。…

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