タグ：面内電流型磁気メモリー
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面内電流型磁気メモリーの記録エラーを低減する技術、産総研が開発――次世代メモリーの有力候補になるか。安価な鉄で実現
産業技術総合研究所（産総研）は2018年2月13日、次世代の不揮発性磁気メモリー（MRAM）として研究開発を進めている面内電流型磁気メモリーにおいて、磁石材料の異常ホール効果を利用した新たな記録技術を開発したと発表した。…詳細を見る-
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