タグ：不揮発性磁気メモリー
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柔らかいシート上へ実用スピントロニクス素子を直接形成することに成功――スピントロニクス素子のIoT応用展開を拡大 東大など
東京大学は2019年3月28日、村田製作所、大阪大学の研究チームと共同で、汎用的なスピントロニクス素子「CoFeB／MgO（コバルト鉄ボロン／酸化マグネシウム）系磁気トンネル接合素子」を、伸縮性のある有機フレキシブルシー…詳細を見る-
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未踏の一桁ナノメートルサイズでも熱安定性と電流誘起磁化反転を両立――東北大、磁気トンネル接合素子の新方式を提案
東北大学は2018年2月15日、不揮発性磁気メモリ（STT-MRAM）の主要構成要素である磁気トンネル接合素子の新しい方式を提案し、一桁ナノメートルサイズでの動作実証に成功したと発表した。この技術は、微細化された将来の半…詳細を見る-
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面内電流型磁気メモリーの記録エラーを低減する技術、産総研が開発――次世代メモリーの有力候補になるか。安価な鉄で実現
産業技術総合研究所（産総研）は2018年2月13日、次世代の不揮発性磁気メモリー（MRAM）として研究開発を進めている面内電流型磁気メモリーにおいて、磁石材料の異常ホール効果を利用した新たな記録技術を開発したと発表した。…詳細を見る-
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