タグ：AlGaN
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次世代パワーエレクトロニクス材料AlGaNの高品質な半導体結晶を安価に合成する手法を開発 東大
東京大学は2022年7月5日、同大学生産技術研究所の研究グループが、品質の高い窒化物半導体結晶をスパッタリング法と呼ばれる製造手法で合成する手法を開発したと発表した。安価な手法で高性能なパワーエレクトロニクス素子を作製で…詳細を見る-
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深紫外LEDでの高速変調メカニズムを解明――太陽光に影響されにくい光無線通信の実現に期待 東北大学ら
東北大学は2020年8月3日、情報通信研究機構および創光科学と共同で、深紫外LEDでの高速変調メカニズムを解明したと発表した。 太陽光の影響を受けずに光情報通信が可能な深紫外波長帯は、「ソーラーブラインド帯」として…詳細を見る-
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