AlN/AlGaNヘテロ接合高電子移動度トランジスタに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：AlN/AlGaNヘテロ接合高電子移動度トランジスタ

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  • 2022-7-7
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • AlGaN, AlGaNトランジスタ, AlN/AlGaNヘテロ接合高電子移動度トランジスタ, HEMT, スパッタリング法, パワーエレクトロニクス, 東京大学, 東京大学生産技術研究所, 研究, 窒化物半導体結晶, 縮退GaN

  次世代パワーエレクトロニクス材料AlGaNの高品質な半導体結晶を安価に合成する手法を開発　東大

  東京大学は2022年7月5日、同大学生産技術研究所の研究グループが、品質の高い窒化物半導体結晶をスパッタリング法と呼ばれる製造手法で合成する手法を開発したと発表した。安価な手法で高性能なパワーエレクトロニクス素子を作製で…

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