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タグ：p-n接合体

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  • 2018-7-19
  • ニュース, 化学・素材系, 技術ニュース
  • p-n接合体, フタロシアニン, 光触媒, 東京工業大学

  東工大、光触媒の性能を向上させる手法を開発――表面構造を従来より2桁以上大きくするだけ

  東京工業大学は2018年7月18日、同大学などによる研究グループが、有機半導体のp-n接合（半導体中で正孔がキャリアとなるp型と電子がキャリアとなるn型の領域が接する部分）を基板面方向に形成し、特異な酸化力を持つ領域が形…

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