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ST、逆回復電荷と逆回復時間を低減した650V耐圧MOSFETを発表
STマイクロエレクトロニクスは2016年3月3日、スーパージャンクション(SJ)構造を備えたnチャネル型パワーMOSFETトランジスタ「MDmesh DM2」を発表した。 MDmesh DM2は、フルブリッジ構成の…詳細を見る -
ST、フラッシュを2M、SRAMを512kに強化したCortex-M7ベースマイコンの新製品を発表
STマイクロエレクトロニクスは2016年1月21日、ARM Cortex-M7ベースのマイコン「STM32F7シリーズ」の新製品「STM32F767/769」を発表した。 従来製品よりメモリ容量を増やし、フラッシュ…詳細を見る