ST、逆回復電荷と逆回復時間を低減した650V耐圧MOSFETを発表

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STマイクロエレクトロニクスは2016年3月3日、スーパージャンクション(SJ)構造を備えたnチャネル型パワーMOSFETトランジスタ「MDmesh DM2」を発表した。

MDmesh DM2は、フルブリッジ構成の位相シフト型ゼロ電圧スイッチング(ZVS)回路に最適化したファーストリカバリーダイオードだ。回復電荷(Qrr)と逆回復時間(trr)の低さのほか、従来製品よりも20%低いオン抵抗を特徴とする。

また、+400〜650Vの耐圧範囲に対応し、車載用ディスクリート半導体の品質規格AEC−Q101に準拠する。dV/dtが40V/nsと耐久性が高いため、AC電力線のノイズや高調波のような高電圧トランジェントにさらされても、信頼性の高いパフォーマンスを維持できるという。

すでに出荷を開始しており、1000個購入時の参考単価は、1.55ドル(約176円)からだ。

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