TMDC-FETs（電界効果トランジスタ）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：TMDC-FETs（電界効果トランジスタ）

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  • 2019-2-15
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • HfS2層, MoS2層, ReRAM（抵抗変化メモリ）, Science Advances, TMDC-FETs（電界効果トランジスタ）, エクセター大学, グラフェン, スパッタリング, ファンデルワールスヘテロ構造, 原子層堆積法（ALD）, 学術, 高誘電率（high-k）絶縁体

  グラフェンに厚さ数nmの高誘電率絶縁体を埋め込む――次世代フレキシブルデバイスを実現する技術

  イギリスのエクセター大学の研究チームは、レーザー照射を利用して、ファンデルワールスヘテロ構造内部に高誘電率（high-k）絶縁体を埋め込むことに成功したと発表した。次世代のフレキシブル電子部品の製造につながると期待される…

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