タグ：ファンデルワールスヘテロ構造
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脳のシナプスのようなメモリスティブな振る舞いを持つ新規材料を発見 岡山大
岡山大学の研究グループは2021年8月11日、カーボンナノチューブ（CNT）に六方晶窒化ホウ素（hBN）を合成した材料である一次元hBN／CNTヘテロ構造の大規模集合化（バルクスケール化）に成功したと発表した。その新規材…詳細を見る-
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二次元材料中の電荷移動をコントロールする新手法
米セントルイス・ワシントン大学は、2021年1月14日、原子レベルの薄さのグラフェンデバイスに塩化ルテニウム（α-RuCl3）薄膜層を重ね、局所的に電荷を加える方法を発見したと発表した。これは二次元材料中の電荷移動を制御…詳細を見る-
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ムーアの法則の限界を超える次世代技術――グラフェンなどの2D材料スピントロニクスに注目
マンチェスター大学を中心とした国際共同研究チームが、グラフェンおよび他の2D材料を用い、電子の持つ磁気的な性質「スピン」の流れを制御することで、次世代の半導体を創成するスピントロニクスの可能性について、広く展望した解説論…詳細を見る-
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東大ら、ナノチューブを重ね合わせた「1次元ファンデルワールスヘテロ構造」の合成に成功
東京大学は2020年1月31日、筑波大学や北京大学、マサチューセッツ工科大学、産業技術総合研究所などと共同で、異なるナノチューブを同心円状に複合化した「1次元ファンデルワールス（vdW）ヘテロ構造」の合成に成功したと発表…詳細を見る-
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グラフェンに厚さ数nmの高誘電率絶縁体を埋め込む――次世代フレキシブルデバイスを実現する技術
イギリスのエクセター大学の研究チームは、レーザー照射を利用して、ファンデルワールスヘテロ構造内部に高誘電率（high-k）絶縁体を埋め込むことに成功したと発表した。次世代のフレキシブル電子部品の製造につながると期待される…詳細を見る-
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