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タグ：Uttam Singisetti

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  • 2020-6-26
  • 制御・IT系, 技術ニュース, 海外ニュース
  • IEEE Electron Device Letters, Uttam Singisetti, バッファロー大学, バンドギャップ, パワーエレクトロニクス, 学術, 薄膜酸化ガリウムトランジスタ, 酸化ガリウム（β-Ga2O3）

  8000ボルト以上に対応する薄膜酸化ガリウムトランジスタを開発

  米バッファロー大学は、2020年6月1日、8000ボルト以上に対応する薄膜酸化ガリウムトランジスタを開発したと発表した。研究成果は『IEEE Electron Device Letters』に2020年4月29日付で発表…

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