最新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETを発売　東芝デバイス＆ストレージ

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東芝デバイス＆ストレージは2022年3月31日、データセンターや通信基地局などの産業機器用スイッチング電源向けに、150V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」を発売し、出荷を開始した。最新世代プロセスとされる「U-MOSX-H（ユー・モス・テン・エイチ）」を採用している。

最新世代プロセスを採用したTPH9R00CQHは、ドレインソース間オン抵抗を、従来世代プロセスU-MOSVIII-Hの150V耐圧製品「TPH1500CNH」と比べ、約42％低減している。

また、素子構造を最適化し、ドレインソース間オン抵抗と、2つの電荷量特性のトレードオフを改善。業界トップクラスの低損失としている。スイッチング時にドレインソース間に発生するスパイク電圧も低減しており、スイッチング電源の低EMI化に貢献する。チャネル温度定格はT_ch（max）＝175℃となっている。

パッケージは2種類をラインアップ。表面実装タイプのSOP Advanceと、表面実装タイプでより汎用性の高いSOP Advance（N）から選択できる。回路設計をサポートするツールも用意。短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル（G0モデル）に加え、過渡特性の精度を高めたSPICEモデル（G2モデル）を提供する。

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