国内メーカーとして初となる200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始昭和電工

SiCエピタキシャルウェハー（左：150mm、右：200mm）

昭和電工は2022年9月7日、国内メーカーとして初となる200mm（8インチ）サイズのSiCエピタキシャルウェハー（SiCエピウェハー）のサンプル出荷を開始したと発表した。自社製のSiC単結晶基板（SiCウェハー）を活用し、SiCパワー半導体の普及と拡大に貢献する。

SiC（炭化ケイ素）パワー半導体は現在、主に150mm（6インチ）のSiCエピウェハーを用いて生産されている。SiCエピウェハーは、大口径化により、1枚のウェハーからとれるチップ数が多くなるため、デバイスメーカーでの生産性改善やコスト低減が期待されている。

こうしたことから、同社は2021年より、200mm化の開発を本格化。今回、200mm SiCウェハーを用いたSiCエピウェハーのサンプル出荷を開始した。SiCウェハーは、パートナー各社から調達するだけでなく、自社製のウェハーを用いた製品開発にも取り組み、200mm SiCエピウェハーの生産拡大や安定供給体制の構築、品質の改善を目指す。

また、2030年までにSiCエピウェハーとSiCウェハーを200mmかつ欠陥密度を1桁以上低減することを目標に、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」にて「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」として研究開発している。今回の大口径化に関する知見と成果は、この研究開発の目標の達成に繋げていく。

国内メーカーとして初となる200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始　昭和電工