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エンハンスメント型GaN HEMTの量産を開始―― アプリケーションを小型化/高性能化 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2023年7月19日、高効率の電力変換システム設計を簡略化するエンハンスメント型GaN HEMT(高電子移動度トランジスタ)「G-HEMT」の量産を開始したことを発表した。パワー半導体製品フ…詳細を見る
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