タグ：GaN-HEMT
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1MHz以上の高周波領域で昇圧可能な高効率直流電源を開発――受動電子部品を最小化 神戸大学と台湾・国立中興大学
神戸大学は2024年4月1日、同大学大学院海事研究科と台湾・国立中興大学の共同研究グループが、受動電子部品を最小化し、1MHz以上の高周波領域で直流電圧を高昇圧する機能を搭載した高効率直流電源を開発したと発表した。 …詳細を見る-
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エンハンスメント型GaN HEMTの量産を開始―― アプリケーションを小型化／高性能化 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2023年7月19日、高効率の電力変換システム設計を簡略化するエンハンスメント型GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）「G-HEMT」の量産を開始したことを発表した。パワー半導体製品フ…詳細を見る-
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世界で初めてHf系の高耐熱高誘電材料を適用したGaN-HEMを開発 住友電気工業
住友電気工業は2022年10月18日、ポスト5Gを見据え、GaN結晶にN極性、ゲート絶縁膜に世界初のハフニウム（Hf）系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ（以下、GaN-HEM）を開発したと発表した。高…詳細を見る-
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高速ワイヤレス通信を可能にするGaN系高電子移動度トランジスタを開発
デラウェア大学の電気およびコンピューター工学科のYuping Zeng助教授らにより、高速無線通信を可能にするトランジスタが開発された。化合物半導体で作製される高電子移動度トランジスタ（High Electron Mob…詳細を見る-
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富士通、窒化ガリウムトランジスタの高出力化に成功――気象レーダーの観測範囲を約2.3倍拡大可能
富士通は2018年8月10日、従来比3倍となる窒化ガリウムトランジスタの高出力化に成功したと発表した。同技術を気象レーダーなどに適用することで、観測範囲を約2.3倍に拡大できるという。 窒化ガリウム（GaN）高電子…詳細を見る-
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富士通、W帯向けの窒化ガリウムを利用した高出力な送信用パワーアンプを開発
富士通と富士通研究所は2017年7月24日、W帯（75～110GHz）を用いた大容量の無線ネットワークに適用可能な、窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を利用した送信用の高出力増幅器（パワーアンプ）…詳細を見る-
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富士通研究所のACアダプター、モバイル機器の急速充電を実現
富士通研究所は2015年12月9日、モバイル機器の急速充電や充電時の消費電力削減を可能にする12ワット出力ACアダプターの試作品を発表した。12月10日木曜日から東京ビッグサイトで開催の展示会「エコプロダクツ2015」に…詳細を見る-
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