タグ：高電子移動度トランジスタ
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エンハンスメント型GaN HEMTの量産を開始―― アプリケーションを小型化／高性能化 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2023年7月19日、高効率の電力変換システム設計を簡略化するエンハンスメント型GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）「G-HEMT」の量産を開始したことを発表した。パワー半導体製品フ…詳細を見る-
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富士通、W帯向けの窒化ガリウムを利用した高出力な送信用パワーアンプを開発
富士通と富士通研究所は2017年7月24日、W帯（75～110GHz）を用いた大容量の無線ネットワークに適用可能な、窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を利用した送信用の高出力増幅器（パワーアンプ）…詳細を見る-
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