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スパッタリング法によるGaNエピタキシャル成長モジュールを開発―― GaNデバイス製造の新たな選択肢 アルバック
アルバックは2022年4月20日、スパッタリング法によるGaNのエピタキシャル薄膜形成技術「RaSE(レイズ)法」と、同技術を用いたスパッタリングモジュール「SEGul(シーガル)」を開発したと発表した。GaNデバイス製…詳細を見る
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