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タグ：スーパージャンクション

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  • 2018-12-5
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • MOSFET, SiC, オン抵抗, スーパージャンクション, 産業技術総合研究所, 研究

  産総研などが開発のトレンチゲート型SJ-MOSFET、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成――EVの電力変換システムなどで利用へ

  産業技術総合研究所（産総研）は2018年12月4日、炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2kV耐電圧クラスのトレンチゲート型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発したと発表した。富士電機、住友電気工業、トヨタ…

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