タグ：SiC
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SiCパワー・モジュール5製品を発表――現代自動車のEVに搭載予定 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2023年1月17日、SiCパワー・モジュール5製品を新たに発表した。 同製品群は、同社の第3世代STPOWER SiCパワーMOSFETを搭載。電力密度や電力効率に優れており、電気自…詳細を見る -
パワー半導体向けSiCウエハーの加工ひずみ検査技術を開発――レーザー散乱光応用技術を適応 豊田通商ら
豊田通商は2022年9月9日、関西学院大学および山梨技術工房と共同で、パワー半導体材料の炭化ケイ素（SiC）ウエハー製造プロセスで生じる、結晶のひずみを検査する技術を開発したと発表した。 現在主流のパワー半導体材料…詳細を見る -
低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料を開発―― SiCやGaNの動作温度にも対応可 パナソニックら
パナソニック ホールディングスは2022年6月21日、東北大学、大阪教育大学、秋田大学および芝浦工業大学と共同で、低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料（新規はんだ）を開発したと発表した。2022年1…詳細を見る -
第3世代SiCパワーMOSFETを発表――ハイエンド車載用途に最適化 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2021年12月21日、EV（電気自動車）や産業機器向けに第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。650V／750V／1200V耐圧の製品を提供する予定となっており、まずは650V耐圧品…詳細を見る -
SiCの高効率な研磨技術を開発――薬液を用いずに水と研磨材粒子のみで高効率に研磨 立命館大学
立命館大学は2021年11月30日、同大学の研究グループが、パワー半導体材料として用いられるSiC（炭化ケイ素）の高効率な研磨技術を開発したと発表した。 SiCは、低損失で高耐圧といったメリットを有するワイドギャッ…詳細を見る -
小型／軽量で急速充電と複数台充電を切り替え可能なマルチポートEV充電技術を開発 日立製作所
日立製作所は2021年8月25日、EVの普及に不可欠なEV充電インフラの小型／軽量化と、急速充電と複数台充電を切り替えできるマルチポートEV充電技術を開発したと発表した。EV充電設備の設置面積を40％、重量を70％削減し…詳細を見る -
世界最小サイズのSiCショットキーバリアダイオードのサンプル提供を開始――低損失で高速なスイッチング動作に対応 新日本無線
新日本無線は2021年3月31日、世界最小サイズと高放熱を両立した650V／10Aのシリコンカーバイド・ショットキーバリアダイオード 「NJDCD010A065AA3PS」のサンプル提供を開始したと発表した。量産は202…詳細を見る -
1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。 同MOSFETは、新材料のSiCを使…詳細を見る -
パワーデバイス材料SiCの電気特性を高分解能で測定する装置を開発 名工大
名古屋工業大学は2020年9月9日、富士電機、電力中央研究所、昭和電工、産業技術総合研究所と共同で、3ミクロンの空間分解能でSiC中の電気特性の微細な分布を測定する技術を確立し、設計通りにSiCパワーデバイス内部の構造が…詳細を見る -
独自の酸化膜形成方法でSiCパワー半導体の高品質化に成功――SiCを酸化せずに表面に良質の酸化膜を形成 京都大学ら
京都大学は2020年8月24日、東京工業大学と共同で、SiCパワー半導体を高品質化する独自のSiCの酸化膜形成方法を開発したと発表した。 現在多くの半導体パワーデバイスにはシリコン（Si）が使用されているが、電気の…詳細を見る
