タグ：SiC
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同時横方向エピタキシャル成長法で3C-SiCと4H-SiCを積層させた、ハイブリッド構造基板を製作 東北大とCUSIC
東北大学電気通信研究所と同大学未来科学技術共同研究センターは2023年9月28日、CUSICと共同で、世界で初めて、同時横方向エピタキシャル成長法（SLE法）を用いて、3C-SiCと4H-SiCを積層させたハイブリッド構…詳細を見る-
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産業用フルSiCパワー半導体モジュールのサンプル提供を開始――スイッチング損失や電力損失を抑制 三菱電機
三菱電機は2023年6月13日、「産業用フルSiCパワー半導体モジュールNXタイプ」のサンプル提供を同月14日より開始すると発表した。 同製品では、パッケージ内の電極にラミネート構造を採用するなど、パッケージ内の電…詳細を見る-
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SBD内蔵SiC MOSFETモジュールのサンプル提供を開始――スイッチング損失が大きく低減 三菱電機
三菱電機は2023年5月8日、大型産業機器向け大容量SiCパワー半導体モジュールの新製品として、ショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載したSiC MOSFETモジュール「FMF800DC-66BEW」のサンプル提供…詳細を見る-
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SiCパワー・モジュール5製品を発表――現代自動車のEVに搭載予定 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2023年1月17日、SiCパワー・モジュール5製品を新たに発表した。 同製品群は、同社の第3世代STPOWER SiCパワーMOSFETを搭載。電力密度や電力効率に優れており、電気自…詳細を見る-
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パワー半導体向けSiCウエハーの加工ひずみ検査技術を開発――レーザー散乱光応用技術を適応 豊田通商ら
豊田通商は2022年9月9日、関西学院大学および山梨技術工房と共同で、パワー半導体材料の炭化ケイ素（SiC）ウエハー製造プロセスで生じる、結晶のひずみを検査する技術を開発したと発表した。 現在主流のパワー半導体材料…詳細を見る-
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低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料を開発―― SiCやGaNの動作温度にも対応可 パナソニックら
パナソニック ホールディングスは2022年6月21日、東北大学、大阪教育大学、秋田大学および芝浦工業大学と共同で、低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料（新規はんだ）を開発したと発表した。2022年1…詳細を見る-
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第3世代SiCパワーMOSFETを発表――ハイエンド車載用途に最適化 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2021年12月21日、EV（電気自動車）や産業機器向けに第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。650V／750V／1200V耐圧の製品を提供する予定となっており、まずは650V耐圧品…詳細を見る-
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SiCの高効率な研磨技術を開発――薬液を用いずに水と研磨材粒子のみで高効率に研磨 立命館大学
立命館大学は2021年11月30日、同大学の研究グループが、パワー半導体材料として用いられるSiC（炭化ケイ素）の高効率な研磨技術を開発したと発表した。 SiCは、低損失で高耐圧といったメリットを有するワイドギャッ…詳細を見る-
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小型／軽量で急速充電と複数台充電を切り替え可能なマルチポートEV充電技術を開発 日立製作所
日立製作所は2021年8月25日、EVの普及に不可欠なEV充電インフラの小型／軽量化と、急速充電と複数台充電を切り替えできるマルチポートEV充電技術を開発したと発表した。EV充電設備の設置面積を40％、重量を70％削減し…詳細を見る-
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世界最小サイズのSiCショットキーバリアダイオードのサンプル提供を開始――低損失で高速なスイッチング動作に対応 新日本無線
新日本無線は2021年3月31日、世界最小サイズと高放熱を両立した650V／10Aのシリコンカーバイド・ショットキーバリアダイオード 「NJDCD010A065AA3PS」のサンプル提供を開始したと発表した。量産は202…詳細を見る-
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