タグ：SiC
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SiC/GaNトランジスタを活用した回路設計が学べるVOD教材 ZEPエンジニアリング
オンライン動画（VOD）とテキストでSiC/GaNトランジスタを活用した回路設計について学べる「［VOD］小型＆高出力！高効率電源設計のためのSiC/GaNトランジスタ活用 100の要点」が2024年6月11日、ZEPエ…詳細を見る-
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1MHz以上の高周波領域で昇圧可能な高効率直流電源を開発――受動電子部品を最小化 神戸大学と台湾・国立中興大学
神戸大学は2024年4月1日、同大学大学院海事研究科と台湾・国立中興大学の共同研究グループが、受動電子部品を最小化し、1MHz以上の高周波領域で直流電圧を高昇圧する機能を搭載した高効率直流電源を開発したと発表した。 …詳細を見る-
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同時横方向エピタキシャル成長法で3C-SiCと4H-SiCを積層させた、ハイブリッド構造基板を製作 東北大とCUSIC
東北大学電気通信研究所と同大学未来科学技術共同研究センターは2023年9月28日、CUSICと共同で、世界で初めて、同時横方向エピタキシャル成長法（SLE法）を用いて、3C-SiCと4H-SiCを積層させたハイブリッド構…詳細を見る-
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産業用フルSiCパワー半導体モジュールのサンプル提供を開始――スイッチング損失や電力損失を抑制 三菱電機
三菱電機は2023年6月13日、「産業用フルSiCパワー半導体モジュールNXタイプ」のサンプル提供を同月14日より開始すると発表した。 同製品では、パッケージ内の電極にラミネート構造を採用するなど、パッケージ内の電…詳細を見る-
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SBD内蔵SiC MOSFETモジュールのサンプル提供を開始――スイッチング損失が大きく低減 三菱電機
三菱電機は2023年5月8日、大型産業機器向け大容量SiCパワー半導体モジュールの新製品として、ショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載したSiC MOSFETモジュール「FMF800DC-66BEW」のサンプル提供…詳細を見る-
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SiCパワー・モジュール5製品を発表――現代自動車のEVに搭載予定 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2023年1月17日、SiCパワー・モジュール5製品を新たに発表した。 同製品群は、同社の第3世代STPOWER SiCパワーMOSFETを搭載。電力密度や電力効率に優れており、電気自…詳細を見る-
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パワー半導体向けSiCウエハーの加工ひずみ検査技術を開発――レーザー散乱光応用技術を適応 豊田通商ら
豊田通商は2022年9月9日、関西学院大学および山梨技術工房と共同で、パワー半導体材料の炭化ケイ素（SiC）ウエハー製造プロセスで生じる、結晶のひずみを検査する技術を開発したと発表した。 現在主流のパワー半導体材料…詳細を見る-
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低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料を開発―― SiCやGaNの動作温度にも対応可 パナソニックら
パナソニック ホールディングスは2022年6月21日、東北大学、大阪教育大学、秋田大学および芝浦工業大学と共同で、低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料（新規はんだ）を開発したと発表した。2022年1…詳細を見る-
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第3世代SiCパワーMOSFETを発表――ハイエンド車載用途に最適化 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2021年12月21日、EV（電気自動車）や産業機器向けに第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。650V／750V／1200V耐圧の製品を提供する予定となっており、まずは650V耐圧品…詳細を見る-
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SiCの高効率な研磨技術を開発――薬液を用いずに水と研磨材粒子のみで高効率に研磨 立命館大学
立命館大学は2021年11月30日、同大学の研究グループが、パワー半導体材料として用いられるSiC（炭化ケイ素）の高効率な研磨技術を開発したと発表した。 SiCは、低損失で高耐圧といったメリットを有するワイドギャッ…詳細を見る-
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